800V CDMOS工藝平臺集成了 LVCMOS、 MV CMOS 和高壓DMOS以及多晶高阻和齊納二極管等器件。特別合適離線式電源（AC/DC）和LED 驅動產品設計.
工藝特性
? 集成了垂直的800V VDMOS器件，BV超過900V
? VLD(橫向變摻雜技術)的終端可節省三分之一的芯片面積
? 采用了厚外延片，外延電阻率高
? 雙阱，單多晶，單層金屬，背面減薄和背金工藝
? 11層光罩，12個光刻層
? 集成了各種低、中、高壓器件，包含對稱和非對稱結構，增強和耗盡型的類型
? 集成了柵氧電容、齊納二極管、低阻值多晶硅電阻
? 可實現高壓和低壓器件的隔離
典型應用
? 電源管理
? 顯示驅動
? 汽車電子