04μmCMOS工藝平臺。0.4微米柵長, 單層多晶，單層金屬. 應用于內置RC振蕩器和晶體振蕩器，內置32*4位RAM, 368K*10的程序ROM空間，放音頻率從1.5K～27K。工作電壓5V，具有詳盡的設計規則文件。
1) 工藝特性
? ? 0.4微米CMOS，單多晶，單層金屬，雙阱工藝。
? ? 工作電壓3.3~5伏。
? ? 襯底材料為P型、<100>晶向、15~25歐姆.厘米。
? ? 11塊掩模版，14個光刻層。
? ? 可提供N型只讀掩模代碼。
? ? 標準的局部氧化隔離工藝。
? ? 柵氧厚度為125埃，采用硅化物柵極。
? ? N/P型輕摻雜漏區和側壁結構。
? ? 鈦/氮化鈦/鋁硅銅/氮化鈦結構的互連層。
? ? 氧化硅/氮化硅結構的鈍化層。
2) 典型應用
? ? 內置RC振蕩器和晶體振蕩器
? ? 內置32*4位RAM, 368K*10的程序ROM空間
? ? 放音頻率從1.5K～27K